MOSFET 2N-CH 30V 10A DIEEm stockRoHS / Conformidade

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EPC2100

MOSFET 2N-CH 30V 10A DIE

Série
eGaN®
Embalagem
Tape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
Tecnologia
GaNFET (Gallium Nitride)
Status da peça
Last Time Buy
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Embalagem segura

Espuma antivibração, etiquetagem à prova de choque

ParâmetroValor
CategoriaFET, MOSFET Arrays
FabricanteEPC
SérieeGaN®
EmbalagemTape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
TecnologiaGaNFET (Gallium Nitride)
FET Feature-
Status da peçaLast Time Buy
Potência - Max-
FabricanteEPC
Configuration2 N-Channel (Half Bridge)
Tipo de montagemSurface Mount
Pacote / CasoDie
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA
Número do produto baseEPC210
Temperatura de operação-40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs8.2mOhm @ 25A, 5V, 2.1mOhm @ 25A, 5V
Pacote de dispositivo do fornecedorDie
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds475pF @ 15V, 1960pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C10A (Ta), 40A (Ta)
Embalagem
-
MSL
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