Série
SiC Power
Embalagem
Box
Tecnologia
Silicon Carbide (SiC)
Status da peça
Active
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Bolsa barreira de umidade, preenchida com nitrogênio
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Espuma antivibração, etiquetagem à prova de choque
| Parâmetro | Valor |
|---|---|
| Categoria | FET, MOSFET Arrays |
| Fabricante | GE Aerospace |
| Nota | - |
| Série | SiC Power |
| Embalagem | Box |
| Tecnologia | Silicon Carbide (SiC) |
| FET Feature | - |
| Status da peça | Active |
| Potência - Max | 1250W |
| Fabricante | GE Aerospace |
| Configuration | 2 N-Channel (Dual) |
| Tipo de montagem | Chassis Mount |
| Qualificação | AEC-Q101 |
| Pacote / Caso | Module |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 160mA |
| Número do produto base | GE12047 |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.4mOhm @ 475A, 20V |
| Pacote de dispositivo do fornecedor | Module |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1248nC @ 18V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 29300pF @ 600V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 475A |
Embalagem
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MSL
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