MOSFET 2N-CH 1700V 425A MODULEEm stockRoHS / Conformidade

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GE17042BCA3

MOSFET 2N-CH 1700V 425A MODULE

Série
SiC Power
Embalagem
Bulk
Tecnologia
Silicon Carbide (SiC)
Status da peça
Active
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Embalagem segura

Espuma antivibração, etiquetagem à prova de choque

ParâmetroValor
CategoriaFET, MOSFET Arrays
FabricanteGE Aerospace
SérieSiC Power
EmbalagemBulk
TecnologiaSilicon Carbide (SiC)
FET Feature-
Status da peçaActive
Potência - Max1250W
FabricanteGE Aerospace
Configuration2 N-Channel (Dual)
Tipo de montagemChassis Mount
QualificaçãoAEC-Q101
Pacote / CasoModule
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 160mA
Número do produto baseGE17042
Temperatura de operação-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs4.45mOhm @ 425A, 20V
Pacote de dispositivo do fornecedorModule
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1207nC @ 18V
Drain to Source Voltage (Vdss)1700V (1.7kV)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds29100pF @ 900V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C425A (Tc)
Embalagem
-
MSL
-

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