Série
SiC Power
Embalagem
Bulk
Tecnologia
Silicon Carbide (SiC)
Status da peça
Active
Conforme RoHS
Por que nos escolher
Garantia de qualidade
Garantia de qualidade
Proteção ESD
Proteção antiestática
Envio mundial
Entrega rápida
Resposta rápida
RFQ rápida
Solicitar cotação
Preço não exibido? Envie uma RFQ e responderemos imediatamente.
MOQ1 un.
Embalagem profissional
Embalagem original
Selado de fábrica, bandeja ESD
Proteção com desumidificador
Cartão indicador de umidade e sílica incluídos
Selagem a vácuo
Bolsa barreira de umidade, preenchida com nitrogênio
Embalagem segura
Espuma antivibração, etiquetagem à prova de choque
| Parâmetro | Valor |
|---|---|
| Categoria | FET, MOSFET Arrays |
| Fabricante | GE Aerospace |
| Série | SiC Power |
| Embalagem | Bulk |
| Tecnologia | Silicon Carbide (SiC) |
| FET Feature | - |
| Status da peça | Active |
| Potência - Max | 3.75kW |
| Fabricante | GE Aerospace |
| Configuration | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Tipo de montagem | Chassis Mount |
| Qualificação | AEC-Q101 |
| Pacote / Caso | Module |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 480mA |
| Número do produto base | GE17140 |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| Pacote de dispositivo do fornecedor | Module |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3621nC @ 18V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1700V (1.7kV) |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 82nF @ 600V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.275kA |
Embalagem
-
MSL
-