TRANS SJT 650V 4A TO257RoHS / Conformidade

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2N7635-GA

TRANS SJT 650V 4A TO257

FET Type
N-Channel
Embalagem
Bulk
Status da peça
Obsolete
Potência - Max
47 W
Conforme RoHS

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Garantia de qualidade
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Selado de fábrica, bandeja ESD

Proteção com desumidificador

Cartão indicador de umidade e sílica incluídos

Selagem a vácuo

Bolsa barreira de umidade, preenchida com nitrogênio

Embalagem segura

Espuma antivibração, etiquetagem à prova de choque

ParâmetroValor
CategoriaJFETs
FabricanteGeneSiC Semiconductor
Nota-
Série-
FET TypeN-Channel
EmbalagemBulk
Status da peçaObsolete
Potência - Max47 W
FabricanteGeneSiC Semiconductor
Tipo de montagemThrough Hole
Qualificação-
Pacote / CasoTO-257-3
Resistance - RDS(On)425 mOhms
Temperatura de operação210°C
Pacote de dispositivo do fornecedorTO-257
Current Drain (Id) - Max10 A
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)100 nA @ 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds310pF @ 600V
Embalagem
-
MSL
-

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