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Velocidade
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Embalagem
Bulk
Tecnologia
Schottky, Reverse Polarity
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Obsolete
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Bolsa barreira de umidade, preenchida com nitrogênio
Embalagem segura
Espuma antivibração, etiquetagem à prova de choque
| Parâmetro | Valor |
|---|---|
| Categoria | Single Diodes |
| Fabricante | GeneSiC Semiconductor |
| Velocidade | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Série | - |
| Embalagem | Bulk |
| Tecnologia | Schottky, Reverse Polarity |
| Status da peça | Obsolete |
| Tipo de montagem | Chassis Mount |
| Pacote / Caso | D-67 |
| Capacitance @ Vr, F | - |
| Pacote de dispositivo do fornecedor | D-67 |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 3 mA @ 30 V |
| Tensão - DC Reversa (Vr) (Máx) | 30 V |
| Current - Average Rectified (Io) | 200A |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 580 mV @ 200 A |
Embalagem
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MSL
-