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| Parâmetro | Valor |
|---|---|
| Categoria | Diode Arrays |
| Fabricante | GeneSiC Semiconductor |
| Velocidade | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Série | - |
| Embalagem | Bulk |
| Tecnologia | Standard |
| Status da peça | Active |
| Fabricante | GeneSiC Semiconductor |
| Tipo de montagem | Chassis Mount |
| Pacote / Caso | Three Tower |
| Número do produto base | MURTA200 |
| Diode Configuration | 1 Pair Common Cathode |
| Pacote de dispositivo do fornecedor | Three Tower |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 25 µA @ 200 V |
| Tensão - DC Reversa (Vr) (Máx) | 200 V |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3 V @ 100 A |
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 100A |
Embalagem
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MSL
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