Série
TrenchFET®
Embalagem
Tape & Reel (TR) || Cut Tape (CT)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
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Active
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Bolsa barreira de umidade, preenchida com nitrogênio
Embalagem segura
Espuma antivibração, etiquetagem à prova de choque
| Parâmetro | Valor |
|---|---|
| Categoria | FET, MOSFET Arrays |
| Fabricante | Goford Semiconductor |
| Série | TrenchFET® |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET Feature | - |
| Status da peça | Active |
| Potência - Max | 48W (Tc) |
| Fabricante | Goford Semiconductor |
| Configuration | 2 N-Channel (Dual) |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Pacote / Caso | 8-PowerTDFN |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Número do produto base | G20N |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30mOhm @ 20A, 10V |
| Pacote de dispositivo do fornecedor | 8-DFN (4.9x5.75) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1326pF @ 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Tc) |
Embalagem
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MSL
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