MOSFET 2N-CH 100V 3A SOT23-6LEm stockRoHS / Conformidade

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G2K3N10L6

MOSFET 2N-CH 100V 3A SOT23-6L

Série
TrenchFET®
Embalagem
Tape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Status da peça
Active
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Embalagem segura

Espuma antivibração, etiquetagem à prova de choque

ParâmetroValor
CategoriaFET, MOSFET Arrays
FabricanteGoford Semiconductor
SérieTrenchFET®
EmbalagemTape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
FET Feature-
Status da peçaActive
Potência - Max1.67W (Tc)
FabricanteGoford Semiconductor
Configuration2 N-Channel (Dual)
Tipo de montagemSurface Mount
Pacote / CasoSOT-23-6
Vgs(th) (Max) @ Id2.2V @ 250µA
Número do produto baseG2K3N
Temperatura de operação-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs220mOhm @ 2A, 10V
Pacote de dispositivo do fornecedorSOT-23-6L
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4.8nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)100V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds536pF @ 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3A (Tc)
Embalagem
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MSL
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