MOSFET 2N-CH 25V 86A/303A 32QFNRoHS / Conformidade

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IRFHE4250DTRPBF

MOSFET 2N-CH 25V 86A/303A 32QFN

Série
FASTIRFET™
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature
Logic Level Gate
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Embalagem segura

Espuma antivibração, etiquetagem à prova de choque

ParâmetroValor
CategoriaFET, MOSFET Arrays
FabricanteInfineon Technologies
Nota-
SérieFASTIRFET™
EmbalagemTape & Reel (TR)
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
FET FeatureLogic Level Gate
Status da peçaObsolete
Potência - Max156W
FabricanteInfineon Technologies
Configuration2 N-Channel (Dual)
Tipo de montagemSurface Mount
Qualificação-
Pacote / Caso32-PowerWFQFN
Vgs(th) (Max) @ Id2.1V @ 35µA
Número do produto baseIRFHE4250
Temperatura de operação-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs2.75mOhm @ 27A, 10V, 0.9mOhm @ 27A, 10V
Pacote de dispositivo do fornecedor32-PQFN (6x6)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs20nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)25V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1735pF @ 13V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C86A, 303A
Embalagem
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MSL
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