MOSFET N-CH 600V 50A TO268RoHS / Conformidade

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IXFT50N60X

MOSFET N-CH 600V 50A TO268

Série
HiPerFET™, Ultra X
FET Type
N-Channel
Embalagem
Tube
Vgs (Max)
±30V
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Cartão indicador de umidade e sílica incluídos

Selagem a vácuo

Bolsa barreira de umidade, preenchida com nitrogênio

Embalagem segura

Espuma antivibração, etiquetagem à prova de choque

ParâmetroValor
CategoriaSingle FETs, MOSFETs
FabricanteIXYS
Nota-
SérieHiPerFET™, Ultra X
FET TypeN-Channel
EmbalagemTube
Vgs (Max)±30V
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
FET Feature-
Status da peçaObsolete
Tipo de montagemSurface Mount
Qualificação-
Pacote / CasoTO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 4mA
Número do produto baseIXFT50
Temperatura de operação-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs73mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max)660W (Tc)
Pacote de dispositivo do fornecedorTO-268
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs116 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4660 pF @ 25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C50A (Tc)
Embalagem
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MSL
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