MOSFET N-CH 650V 8A TO252AAEm stockRoHS / Conformidade

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IXFY8N65X2

MOSFET N-CH 650V 8A TO252AA

Série
HiPerFET™, Ultra X2
FET Type
N-Channel
Embalagem
Tube
Vgs (Max)
±30V
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Embalagem segura

Espuma antivibração, etiquetagem à prova de choque

ParâmetroValor
CategoriaSingle FETs, MOSFETs
FabricanteIXYS
Nota-
SérieHiPerFET™, Ultra X2
FET TypeN-Channel
EmbalagemTube
Vgs (Max)±30V
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
FET Feature-
Status da peçaActive
Tipo de montagemSurface Mount
Qualificação-
Pacote / CasoTO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 250µA
Número do produto baseIXFY8N65
Temperatura de operação-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs450mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max)150W (Tc)
Pacote de dispositivo do fornecedorTO-252AA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs11 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds790 pF @ 25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C8A (Tc)
Embalagem
-
MSL
-

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