MOSFET P-CH 20V 2.8A TO236ABEm stockRoHS / Conformidade

As imagens são apenas para referência

PMV65XPER

MOSFET P-CH 20V 2.8A TO236AB

FET Type
P-Channel
Embalagem
Tape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
Vgs (Max)
±12V
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Ficha de dados (PDF)
Conforme RoHS

Por que nos escolher

Garantia de qualidade
Garantia de qualidade
Proteção ESD
Proteção antiestática
Envio mundial
Entrega rápida
Resposta rápida
RFQ rápida

Embalagem profissional

Embalagem original

Selado de fábrica, bandeja ESD

Proteção com desumidificador

Cartão indicador de umidade e sílica incluídos

Selagem a vácuo

Bolsa barreira de umidade, preenchida com nitrogênio

Embalagem segura

Espuma antivibração, etiquetagem à prova de choque

ParâmetroValor
CategoriaSingle FETs, MOSFETs
FabricanteNexperia USA Inc.
Nota-
Série-
FET TypeP-Channel
EmbalagemTape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
Vgs (Max)±12V
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
FET Feature-
Status da peçaActive
Tipo de montagemSurface Mount
Qualificação-
Pacote / CasoTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id1.25V @ 250µA
Número do produto basePMV65
Temperatura de operação-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs78mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max)480mW (Ta), 6.25W (Tc)
Pacote de dispositivo do fornecedorTO-236AB
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs9 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds618 pF @ 10 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.8A (Ta)
Embalagem
-
MSL
-

Related Products