NJG1812ME4-TE1

IC RF SWITCH DPDT 3GHZ 12EQFN

Circuito
DPDT
RF Type
CDMA, GSM, LTE, UMTS
Recursos
DC Blocked
Impedance
50Ohm
Ficha de dados (PDF)

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Garantia de qualidade
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Proteção ESD
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Embalagem profissional

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Selado de fábrica, bandeja ESD

Proteção com desumidificador

Cartão indicador de umidade e sílica incluídos

Selagem a vácuo

Bolsa barreira de umidade, preenchida com nitrogênio

Embalagem segura

Espuma antivibração, etiquetagem à prova de choque

ParâmetroValor
CategoriaRF Switches
FabricanteNisshinbo Micro Devices Inc.
IIP3-
P1dB-
Série-
CircuitoDPDT
RF TypeCDMA, GSM, LTE, UMTS
RecursosDC Blocked
Topologia-
Impedance50Ohm
Isolation17dB
EmbalagemTape & Reel (TR)
Status da peçaActive
FabricanteNisshinbo Micro Devices Inc.
Perda de inserção0.45dB
Pacote / Caso12-XFQFN Exposed Pad
Test Frequency2.7GHz
Faixa de frequência3GHz
Tensão - Fornecimento2.4V ~ 5V
Número do produto baseNJG1812
Temperatura de operação-40°C ~ 105°C
Pacote de dispositivo do fornecedor12-EQFN (2x2)
Embalagem
-
MSL
-

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