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Espuma antivibração, etiquetagem à prova de choque
| Parâmetro | Valor |
|---|---|
| Categoria | Single Bipolar Transistors |
| Fabricante | NXP Semiconductors |
| Série | - |
| Embalagem | Bulk |
| Status da peça | Active |
| Potência - Max | 325 mW |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Pacote / Caso | 3-XDFN Exposed Pad |
| Transistor Type | NPN |
| Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
| Frequência - Transição | 190MHz |
| Pacote de dispositivo do fornecedor | DFN1010D-3 |
| Saturação de Vce (Máx) @ Ib, Ic | 190mV @ 50mA, 1A |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 2 A |
| Atual - Corte do coletor (Máx) | 100nA (ICBO) |
| Ganho de corrente contínua (hFE) (Mín) @ Ic, Vce | 100 @ 2A, 2V |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 30 V |
Embalagem
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MSL
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