Velocidade
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Embalagem
Tube
Tecnologia
SiC (Silicon Carbide) Schottky
Status da peça
Active
Conforme RoHS
Por que nos escolher
Garantia de qualidade
Garantia de qualidade
Proteção ESD
Proteção antiestática
Envio mundial
Entrega rápida
Resposta rápida
RFQ rápida
Solicitar cotação
Preço não exibido? Envie uma RFQ e responderemos imediatamente.
MOQ1 un.
Embalagem profissional
Embalagem original
Selado de fábrica, bandeja ESD
Proteção com desumidificador
Cartão indicador de umidade e sílica incluídos
Selagem a vácuo
Bolsa barreira de umidade, preenchida com nitrogênio
Embalagem segura
Espuma antivibração, etiquetagem à prova de choque
| Parâmetro | Valor |
|---|---|
| Categoria | Diode Arrays |
| Fabricante | SemiQ |
| Velocidade | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Série | - |
| Embalagem | Tube |
| Tecnologia | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
| Status da peça | Active |
| Fabricante | SemiQ |
| Tipo de montagem | Chassis Mount |
| Pacote / Caso | SOT-227-4, miniBLOC |
| Número do produto base | GHXS045 |
| Diode Configuration | 2 Independent |
| Pacote de dispositivo do fornecedor | SOT-227 |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 300 µA @ 1200 V |
| Tensão - DC Reversa (Vr) (Máx) | 1200 V |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 45 A |
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 45A |
Embalagem
-
MSL
-