DIODE MOD SIC 1200V 198A SOT-227Em stockRoHS / Conformidade

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GHXS100B120S-D3

DIODE MOD SIC 1200V 198A SOT-227

Velocidade
No Recovery Time > 500mA (Io)
Embalagem
Tube
Tecnologia
SiC (Silicon Carbide) Schottky
Status da peça
Active
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Espuma antivibração, etiquetagem à prova de choque

ParâmetroValor
CategoriaDiode Arrays
FabricanteSemiQ
VelocidadeNo Recovery Time > 500mA (Io)
Série-
EmbalagemTube
TecnologiaSiC (Silicon Carbide) Schottky
Status da peçaActive
FabricanteSemiQ
Tipo de montagemChassis Mount
Pacote / CasoSOT-227-4, miniBLOC
Número do produto baseGHXS100
Diode Configuration2 Independent
Pacote de dispositivo do fornecedorSOT-227
Reverse Recovery Time (trr)0 ns
Current - Reverse Leakage @ Vr200 µA @ 1200 V
Tensão - DC Reversa (Vr) (Máx)1200 V
Operating Temperature - Junction-55°C ~ 175°C
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.7 V @ 100 A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode)198A (DC)
Embalagem
-
MSL
-

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