MOSFET N-CH 650V 20A D2PAKEm stockRoHS / Conformidade

As imagens são apenas para referência

STB30N65M2AG

MOSFET N-CH 650V 20A D2PAK

Nota
Automotive
FET Type
N-Channel
Embalagem
Tape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
Vgs (Max)
±25V
Ficha de dados (PDF)
Conforme RoHS

Por que nos escolher

Garantia de qualidade
Garantia de qualidade
Proteção ESD
Proteção antiestática
Envio mundial
Entrega rápida
Resposta rápida
RFQ rápida

Embalagem profissional

Embalagem original

Selado de fábrica, bandeja ESD

Proteção com desumidificador

Cartão indicador de umidade e sílica incluídos

Selagem a vácuo

Bolsa barreira de umidade, preenchida com nitrogênio

Embalagem segura

Espuma antivibração, etiquetagem à prova de choque

ParâmetroValor
CategoriaSingle FETs, MOSFETs
FabricanteSTMicroelectronics
NotaAutomotive
Série-
FET TypeN-Channel
EmbalagemTape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
Vgs (Max)±25V
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
FET Feature-
Status da peçaLast Time Buy
Tipo de montagemSurface Mount
QualificaçãoAEC-Q101
Pacote / CasoTO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Número do produto baseSTB30
Temperatura de operação-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs180mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max)190W (Tc)
Pacote de dispositivo do fornecedorTO-263 (D2PAK)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs30.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1440 pF @ 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C20A (Tc)
Embalagem
-
MSL
-

Related Products