Série
U-MOSV-H
FET Type
N-Channel
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
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Bolsa barreira de umidade, preenchida com nitrogênio
Embalagem segura
Espuma antivibração, etiquetagem à prova de choque
| Parâmetro | Valor |
|---|---|
| Categoria | Single FETs, MOSFETs |
| Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Nota | - |
| Série | U-MOSV-H |
| FET Type | N-Channel |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET Feature | - |
| Status da peça | Obsolete |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Qualificação | - |
| Pacote / Caso | 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Número do produto base | TPC8038 |
| Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.4mOhm @ 6A, 10V |
| Power Dissipation (Max) | - |
| Pacote de dispositivo do fornecedor | 8-SOP (5.5x6.0) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 21 nC @ 10 V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2150 pF @ 10 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Ta) |
Embalagem
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MSL
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