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Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
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| Parâmetro | Valor |
|---|---|
| Categoria | Single Diodes |
| Fabricante | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| Velocidade | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Série | - |
| Embalagem | Tube |
| Tecnologia | Standard |
| Status da peça | Obsolete |
| Tipo de montagem | Through Hole |
| Pacote / Caso | TO-220-2 |
| Número do produto base | 10ETF10 |
| Capacitance @ Vr, F | - |
| Pacote de dispositivo do fornecedor | TO-220AC |
| Reverse Recovery Time (trr) | 310 ns |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 100 µA @ 1000 V |
| Tensão - DC Reversa (Vr) (Máx) | 1000 V |
| Current - Average Rectified (Io) | 10A |
| Operating Temperature - Junction | -40°C ~ 150°C |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.33 V @ 10 A |
Embalagem
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MSL
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