FET Type
N-Channel
Embalagem
Tube
Vgs (Max)
±20V
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Conforme RoHS
Por que nos escolher
Garantia de qualidade
Garantia de qualidade
Proteção ESD
Proteção antiestática
Envio mundial
Entrega rápida
Resposta rápida
RFQ rápida
Solicitar cotação
Preço não exibido? Envie uma RFQ e responderemos imediatamente.
MOQ1 un.
Embalagem profissional
Embalagem original
Selado de fábrica, bandeja ESD
Proteção com desumidificador
Cartão indicador de umidade e sílica incluídos
Selagem a vácuo
Bolsa barreira de umidade, preenchida com nitrogênio
Embalagem segura
Espuma antivibração, etiquetagem à prova de choque
| Parâmetro | Valor |
|---|---|
| Categoria | Single FETs, MOSFETs |
| Fabricante | Vishay Siliconix |
| Nota | - |
| Série | - |
| FET Type | N-Channel |
| Embalagem | Tube |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET Feature | - |
| Status da peça | Obsolete |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Qualificação | - |
| Pacote / Caso | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Número do produto base | IRF624 |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.1Ohm @ 2.6A, 10V |
| Power Dissipation (Max) | 3.1W (Ta), 50W (Tc) |
| Pacote de dispositivo do fornecedor | TO-263 (D2PAK) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14 nC @ 10 V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 250 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 260 pF @ 25 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.4A (Tc) |
Embalagem
-
MSL
-