SICFET N-CH 900V 35A D2PAK-7RoHS / Conformidade

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C3M0065090J

SICFET N-CH 900V 35A D2PAK-7

Série
C3M™
FET Type
N-Channel
Embalagem
Tube
Vgs (Max)
+19V, -8V
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Bolsa barreira de umidade, preenchida com nitrogênio

Embalagem segura

Espuma antivibração, etiquetagem à prova de choque

ParâmetroValor
CategoriaSingle FETs, MOSFETs
FabricanteWolfspeed, Inc.
Nota-
SérieC3M™
FET TypeN-Channel
EmbalagemTube
Vgs (Max)+19V, -8V
TecnologiaSiCFET (Silicon Carbide)
FET Feature-
Status da peçaNot For New Designs
Tipo de montagemSurface Mount
Qualificação-
Pacote / CasoTO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Vgs(th) (Max) @ Id3.5V @ 5mA
Número do produto baseC3M0065090
Temperatura de operação-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs78mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max)113W (Tc)
Pacote de dispositivo do fornecedorTO-263-7
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs30 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss)900 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds660 pF @ 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C35A (Tc)
Embalagem
-
MSL
-

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