MOSFET 2N-CH 1200V 417AEm stockRoHS / Conformidade

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WAS350M12BM3

MOSFET 2N-CH 1200V 417A

Embalagem
Box
Tecnologia
Silicon Carbide (SiC)
Status da peça
Active
Fabricante
Wolfspeed, Inc.
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Embalagem segura

Espuma antivibração, etiquetagem à prova de choque

ParâmetroValor
CategoriaFET, MOSFET Arrays
FabricanteWolfspeed, Inc.
Série-
EmbalagemBox
TecnologiaSilicon Carbide (SiC)
FET Feature-
Status da peçaActive
Potência - Max-
FabricanteWolfspeed, Inc.
Configuration2 N-Channel (Half Bridge)
Tipo de montagemChassis Mount
Pacote / CasoModule
Vgs(th) (Max) @ Id3.6V @ 85mA
Número do produto baseWAS350
Temperatura de operação-40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs5.2mOhm @ 350A, 15V
Pacote de dispositivo do fornecedor-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs844nC @ 15V
Drain to Source Voltage (Vdss)1200V (1.2kV)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds25700pF @ 800V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C417A (Tc)
Embalagem
-
MSL
-

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