IC Onlineerai

Силовые драйверные модули
4 Продукты

ИзображениеАртикулПроизводительОписаниеНаличиеДействия
IPM 1.2KV 100A SOT-227-4
PDF
GA100SICP12-227GeneSiC SemiconductorIPM 1.2KV 100A SOT-227-4
В наличии
Мин. заказ: 1
Наведите для запроса
IPM 1.2KV 10A TO-247-3
PDF
GA10SICP12-247GeneSiC SemiconductorIPM 1.2KV 10A TO-247-3
В наличии
Мин. заказ: 1
Наведите для запроса
IPM 1.2KV 20A TO-263-8
PDF
GA20SICP12-263GeneSiC SemiconductorIPM 1.2KV 20A TO-263-8
В наличии
Мин. заказ: 1
Наведите для запроса
IPM 1.2KV 50A SOT-227-4
PDF
GA50SICP12-227GeneSiC SemiconductorIPM 1.2KV 50A SOT-227-4
В наличии
Мин. заказ: 1
Наведите для запроса

Силовые драйверные модули обеспечивают физическое размещение силовых компонентов, обычно IGBT и MOSFET, в полумостовой или одно-, двух- или трёхфазной конфигурации. Силовые полупроводниковые приборы или кристаллы припаиваются или спекаются на подложке, которая удерживает эти полупроводники и обеспечивает электрический и тепловой контакт, а также электрическую изоляцию там, где это необходимо. Силовые модули обеспечивают более высокую плотность мощности и во многих случаях являются более надёжными и их легче охлаждать.