MOSFET 4P-CH 10.6V 14PDIPВ наличииRoHS / Соответствие

Изображения только для справки

ALD1107PBL

MOSFET 4P-CH 10.6V 14PDIP

Упаковка
Tube
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Статус детали
Active
Мощность - Макс
500mW
Технический паспорт (PDF)
Соответствие RoHS

Почему мы

Гарантия качества
Гарантия качества
Защита от ЭСР
Антистатическая защита
Доставка по миру
Быстрая доставка
Быстрый ответ
Быстрый запрос

Профессиональная упаковка

Оригинальная упаковка

Заводская упаковка, антистатический лоток

Защита от влаги

Индикатор влажности и силикагель в комплекте

Вакуумная упаковка

Влагозащитный пакет, заполнен азотом

Надёжная упаковка

Антивибрационная пена, ударопрочная маркировка

ПараметрЗначение
КатегорияFET, MOSFET Arrays
ПроизводительAdvanced Linear Devices Inc.
Серия-
УпаковкаTube
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
FET Feature-
Статус деталиActive
Мощность - Макс500mW
ПроизводительAdvanced Linear Devices Inc.
Configuration4 P-Channel, Matched Pair
Тип монтажаThrough Hole
Упаковка / Дело14-DIP (0.300", 7.62mm)
Vgs(th) (Max) @ Id1.2V @ 1µA
Базовый номер продуктаALD1107
Рабочая температура0°C ~ 70°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs1800Ohm @ 5V
Упаковка устройства поставщика14-PDIP
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Drain to Source Voltage (Vdss)10.6V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3pF @ 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C-
Корпус
-
MSL
-

Related Products