MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOICВ наличииRoHS / Соответствие

Изображения только для справки

ALD114904SAL

MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC

Серия
EPAD®
Упаковка
Tube
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature
Depletion Mode
Технический паспорт (PDF)
Соответствие RoHS

Почему мы

Гарантия качества
Гарантия качества
Защита от ЭСР
Антистатическая защита
Доставка по миру
Быстрая доставка
Быстрый ответ
Быстрый запрос

Профессиональная упаковка

Оригинальная упаковка

Заводская упаковка, антистатический лоток

Защита от влаги

Индикатор влажности и силикагель в комплекте

Вакуумная упаковка

Влагозащитный пакет, заполнен азотом

Надёжная упаковка

Антивибрационная пена, ударопрочная маркировка

ПараметрЗначение
КатегорияFET, MOSFET Arrays
ПроизводительAdvanced Linear Devices Inc.
СерияEPAD®
УпаковкаTube
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
FET FeatureDepletion Mode
Статус деталиActive
Мощность - Макс500mW
ПроизводительAdvanced Linear Devices Inc.
Configuration2 N-Channel (Dual) Matched Pair
Тип монтажаSurface Mount
Упаковка / Дело8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs(th) (Max) @ Id360mV @ 1µA
Базовый номер продуктаALD114904
Рабочая температура0°C ~ 70°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs500Ohm @ 3.6V
Упаковка устройства поставщика8-SOIC
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Drain to Source Voltage (Vdss)10.6V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2.5pF @ 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C12mA, 3mA
Корпус
-
MSL
-

Related Products