MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16SOICRoHS / Соответствие

Изображения только для справки

ALD210808SCL

MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16SOIC

Серия
EPAD®, Zero Threshold™
Упаковка
Tube
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature
Logic Level Gate
Технический паспорт (PDF)
Соответствие RoHS

Почему мы

Гарантия качества
Гарантия качества
Защита от ЭСР
Антистатическая защита
Доставка по миру
Быстрая доставка
Быстрый ответ
Быстрый запрос

Профессиональная упаковка

Оригинальная упаковка

Заводская упаковка, антистатический лоток

Защита от влаги

Индикатор влажности и силикагель в комплекте

Вакуумная упаковка

Влагозащитный пакет, заполнен азотом

Надёжная упаковка

Антивибрационная пена, ударопрочная маркировка

ПараметрЗначение
КатегорияFET, MOSFET Arrays
ПроизводительAdvanced Linear Devices Inc.
СерияEPAD®, Zero Threshold™
УпаковкаTube
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
FET FeatureLogic Level Gate
Статус деталиActive
Мощность - Макс500mW
ПроизводительAdvanced Linear Devices Inc.
Configuration4 N-Channel, Matched Pair
Тип монтажаSurface Mount
Упаковка / Дело16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs(th) (Max) @ Id20mV @ 10µA
Базовый номер продуктаALD210808
Рабочая температура0°C ~ 70°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs-
Упаковка устройства поставщика16-SOIC
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Drain to Source Voltage (Vdss)10.6V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds-
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C80mA
Корпус
-
MSL
-

Related Products