MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16PDIPRoHS / Соответствие

Изображения только для справки

ALD210814PCL

MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16PDIP

Серия
EPAD®, Zero Threshold™
Упаковка
Tube
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature
Logic Level Gate
Соответствие RoHS

Почему мы

Гарантия качества
Гарантия качества
Защита от ЭСР
Антистатическая защита
Доставка по миру
Быстрая доставка
Быстрый ответ
Быстрый запрос

Профессиональная упаковка

Оригинальная упаковка

Заводская упаковка, антистатический лоток

Защита от влаги

Индикатор влажности и силикагель в комплекте

Вакуумная упаковка

Влагозащитный пакет, заполнен азотом

Надёжная упаковка

Антивибрационная пена, ударопрочная маркировка

ПараметрЗначение
КатегорияFET, MOSFET Arrays
ПроизводительAdvanced Linear Devices Inc.
СерияEPAD®, Zero Threshold™
УпаковкаTube
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
FET FeatureLogic Level Gate
Статус деталиActive
Мощность - Макс-
ПроизводительAdvanced Linear Devices Inc.
Configuration4 N-Channel, Matched Pair
Тип монтажаThrough Hole
Упаковка / Дело16-DIP (0.300", 7.62mm)
Vgs(th) (Max) @ Id20mV @ 10µA
Базовый номер продуктаALD210814
Рабочая температура-
Rds On (Max) @ Id, Vgs-
Упаковка устройства поставщика16-PDIP
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Drain to Source Voltage (Vdss)10.6V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds-
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C80mA
Корпус
-
MSL
-

Related Products