MOSFET 2N-CH 4DFNВ наличииRoHS / Соответствие

Изображения только для справки

AOC2870

MOSFET 2N-CH 4DFN

Серия
AlphaMOS
Упаковка
Tape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Статус детали
Not For New Designs
Технический паспорт (PDF)
Соответствие RoHS

Почему мы

Гарантия качества
Гарантия качества
Защита от ЭСР
Антистатическая защита
Доставка по миру
Быстрая доставка
Быстрый ответ
Быстрый запрос

Профессиональная упаковка

Оригинальная упаковка

Заводская упаковка, антистатический лоток

Защита от влаги

Индикатор влажности и силикагель в комплекте

Вакуумная упаковка

Влагозащитный пакет, заполнен азотом

Надёжная упаковка

Антивибрационная пена, ударопрочная маркировка

ПараметрЗначение
КатегорияFET, MOSFET Arrays
ПроизводительAlpha & Omega Semiconductor Inc.
СерияAlphaMOS
УпаковкаTape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
FET Feature-
Статус деталиNot For New Designs
Мощность - Макс1.4W
ПроизводительAlpha & Omega Semiconductor Inc.
Configuration2 N-Channel (Dual) Common Drain
Тип монтажаSurface Mount
Упаковка / Дело4-XDFN
Vgs(th) (Max) @ Id1.3V @ 250µA
Базовый номер продуктаAOC287
Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs-
Упаковка устройства поставщика4-DFN (1.7x1.7)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs11.5nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds-
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C-
Корпус
-
MSL
-

Related Products