MOSFET 2N-CH 30V 26A 8DFNRoHS / Соответствие

Изображения только для справки

AONP36320

MOSFET 2N-CH 30V 26A 8DFN

Упаковка
Tape & Reel (TR)
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Статус детали
Active
Мощность - Макс
3.3W (Ta), 50W (Tc)
Технический паспорт (PDF)
Соответствие RoHS

Почему мы

Гарантия качества
Гарантия качества
Защита от ЭСР
Антистатическая защита
Доставка по миру
Быстрая доставка
Быстрый ответ
Быстрый запрос

Профессиональная упаковка

Оригинальная упаковка

Заводская упаковка, антистатический лоток

Защита от влаги

Индикатор влажности и силикагель в комплекте

Вакуумная упаковка

Влагозащитный пакет, заполнен азотом

Надёжная упаковка

Антивибрационная пена, ударопрочная маркировка

ПараметрЗначение
КатегорияFET, MOSFET Arrays
ПроизводительAlpha & Omega Semiconductor Inc.
Серия-
УпаковкаTape & Reel (TR)
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
FET Feature-
Статус деталиActive
Мощность - Макс3.3W (Ta), 50W (Tc)
ПроизводительAlpha & Omega Semiconductor Inc.
Configuration2 N-Channel (Dual) Common Drain
Тип монтажаSurface Mount
Упаковка / Дело8-PowerVDFN
Vgs(th) (Max) @ Id2.1V @ 250µA
Базовый номер продуктаAONP363
Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs3.2mOhm @ 20A, 10V, 3mOhm @ 20A, 10V
Упаковка устройства поставщика8-DFN-EP (3.3x3.3)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs40nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1700pF @ 15V, 1650pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C26A (Ta), 100A (Tc), 27A (Ta), 103A (Tc)
Корпус
-
MSL
-

Related Products