MOSFET 2P-CH 30V 5.7A 8SOICВ наличииRoHS / Соответствие

Изображения только для справки

AOSD21313C

MOSFET 2P-CH 30V 5.7A 8SOIC

Упаковка
Tape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Статус детали
Active
Мощность - Макс
1.7W
Технический паспорт (PDF)
Соответствие RoHS

Почему мы

Гарантия качества
Гарантия качества
Защита от ЭСР
Антистатическая защита
Доставка по миру
Быстрая доставка
Быстрый ответ
Быстрый запрос

Профессиональная упаковка

Оригинальная упаковка

Заводская упаковка, антистатический лоток

Защита от влаги

Индикатор влажности и силикагель в комплекте

Вакуумная упаковка

Влагозащитный пакет, заполнен азотом

Надёжная упаковка

Антивибрационная пена, ударопрочная маркировка

ПараметрЗначение
КатегорияFET, MOSFET Arrays
ПроизводительAlpha & Omega Semiconductor Inc.
Серия-
УпаковкаTape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
FET Feature-
Статус деталиActive
Мощность - Макс1.7W
ПроизводительAlpha & Omega Semiconductor Inc.
Configuration2 P-Channel (Dual)
Тип монтажаSurface Mount
Упаковка / Дело8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs(th) (Max) @ Id2.2V @ 250µA
Базовый номер продуктаAOSD213
Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs32mOhm @ 5.7A, 10V
Упаковка устройства поставщика8-SOIC
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs33nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1100pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5.7A (Ta)
Корпус
-
MSL
-

Related Products