BY25FQ16ESOIG(T)

16 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4

Упаковка
Tube
Технология
FLASH - NOR
Access Time
5 ns
Размер памяти
16Mbit
Технический паспорт (PDF)
Соответствие RoHS

Почему мы

Гарантия качества
Гарантия качества
Защита от ЭСР
Антистатическая защита
Доставка по миру
Быстрая доставка
Быстрый ответ
Быстрый запрос

Профессиональная упаковка

Оригинальная упаковка

Заводская упаковка, антистатический лоток

Защита от влаги

Индикатор влажности и силикагель в комплекте

Вакуумная упаковка

Влагозащитный пакет, заполнен азотом

Надёжная упаковка

Антивибрационная пена, ударопрочная маркировка

ПараметрЗначение
КатегорияMemory
ПроизводительBYTe Semiconductor
Оценка-
Серия-
УпаковкаTube
ТехнологияFLASH - NOR
Access Time5 ns
Размер памяти16Mbit
Тип памятиNon-Volatile
Статус деталиActive
Memory FormatFLASH
Тип монтажаSurface Mount
Квалификация-
Упаковка / Дело8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Clock Frequency133 MHz
Memory InterfaceSPI - Quad I/O, QPI, DTR
Напряжение - Поставка2.7V ~ 3.6V
Memory Organization2M x 8
Рабочая температура-40°C ~ 85°C (TA)
Упаковка устройства поставщика8-TSSOP
Write Cycle Time - Word, Page250µs, 2.4ms
Корпус
-
MSL
-

Related Products