MOSFET N/P-CH 30V 3.8A TSOT26В наличииRoHS / Соответствие

Изображения только для справки

DMG6601LVT-7

MOSFET N/P-CH 30V 3.8A TSOT26

Упаковка
Tape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature
Logic Level Gate
Статус детали
Active
Технический паспорт (PDF)
Соответствие RoHS

Почему мы

Гарантия качества
Гарантия качества
Защита от ЭСР
Антистатическая защита
Доставка по миру
Быстрая доставка
Быстрый ответ
Быстрый запрос

Профессиональная упаковка

Оригинальная упаковка

Заводская упаковка, антистатический лоток

Защита от влаги

Индикатор влажности и силикагель в комплекте

Вакуумная упаковка

Влагозащитный пакет, заполнен азотом

Надёжная упаковка

Антивибрационная пена, ударопрочная маркировка

ПараметрЗначение
КатегорияFET, MOSFET Arrays
ПроизводительDiodes Incorporated
Серия-
УпаковкаTape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
FET FeatureLogic Level Gate
Статус деталиActive
Мощность - Макс850mW
ПроизводительDiodes Incorporated
ConfigurationN and P-Channel
Тип монтажаSurface Mount
Упаковка / ДелоSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA
Базовый номер продуктаDMG6601
Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs55mOhm @ 3.4A, 10V
Упаковка устройства поставщикаTSOT-26
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs12.3nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds422pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3.8A, 2.5A
Корпус
-
MSL
-

Related Products