MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8VDFNВ наличииRoHS / Соответствие

Изображения только для справки

DMN3035LWN-7

MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8VDFN

Упаковка
Tape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Статус детали
Active
Мощность - Макс
770mW
Технический паспорт (PDF)
Соответствие RoHS

Почему мы

Гарантия качества
Гарантия качества
Защита от ЭСР
Антистатическая защита
Доставка по миру
Быстрая доставка
Быстрый ответ
Быстрый запрос

Профессиональная упаковка

Оригинальная упаковка

Заводская упаковка, антистатический лоток

Защита от влаги

Индикатор влажности и силикагель в комплекте

Вакуумная упаковка

Влагозащитный пакет, заполнен азотом

Надёжная упаковка

Антивибрационная пена, ударопрочная маркировка

ПараметрЗначение
КатегорияFET, MOSFET Arrays
ПроизводительDiodes Incorporated
Серия-
УпаковкаTape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
FET Feature-
Статус деталиActive
Мощность - Макс770mW
ПроизводительDiodes Incorporated
Configuration2 N-Channel (Dual)
Тип монтажаSurface Mount
Упаковка / Дело8-PowerVDFN
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 250µA
Базовый номер продуктаDMN3035
Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs35mOhm @ 4.8A, 10V
Упаковка устройства поставщикаV-DFN3020-8 (Type N)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs9.9nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds399pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5.5A
Корпус
-
MSL
-

Related Products