MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363В наличииRoHS / Соответствие

Изображения только для справки

DMN3190LDW-7

MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363

Упаковка
Tape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature
Logic Level Gate
Статус детали
Active
Технический паспорт (PDF)
Соответствие RoHS

Почему мы

Гарантия качества
Гарантия качества
Защита от ЭСР
Антистатическая защита
Доставка по миру
Быстрая доставка
Быстрый ответ
Быстрый запрос

Профессиональная упаковка

Оригинальная упаковка

Заводская упаковка, антистатический лоток

Защита от влаги

Индикатор влажности и силикагель в комплекте

Вакуумная упаковка

Влагозащитный пакет, заполнен азотом

Надёжная упаковка

Антивибрационная пена, ударопрочная маркировка

ПараметрЗначение
КатегорияFET, MOSFET Arrays
ПроизводительDiodes Incorporated
Серия-
УпаковкаTape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
FET FeatureLogic Level Gate
Статус деталиActive
Мощность - Макс320mW
ПроизводительDiodes Incorporated
Configuration2 N-Channel (Dual)
Тип монтажаSurface Mount
Упаковка / Дело6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id2.8V @ 250µA
Базовый номер продуктаDMN3190
Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs190mOhm @ 1.3A, 10V
Упаковка устройства поставщикаSOT-363
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs2nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds87pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1A
Корпус
-
MSL
-

Related Products