MOSFET 2N-CH 7.6A 8SOICВ наличииRoHS / Соответствие

Изображения только для справки

DMTH6016LSD-13

MOSFET 2N-CH 7.6A 8SOIC

Оценка
Automotive
Упаковка
Tape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Статус детали
Active
Технический паспорт (PDF)
Соответствие RoHS

Почему мы

Гарантия качества
Гарантия качества
Защита от ЭСР
Антистатическая защита
Доставка по миру
Быстрая доставка
Быстрый ответ
Быстрый запрос

Профессиональная упаковка

Оригинальная упаковка

Заводская упаковка, антистатический лоток

Защита от влаги

Индикатор влажности и силикагель в комплекте

Вакуумная упаковка

Влагозащитный пакет, заполнен азотом

Надёжная упаковка

Антивибрационная пена, ударопрочная маркировка

ПараметрЗначение
КатегорияFET, MOSFET Arrays
ПроизводительDiodes Incorporated
ОценкаAutomotive
Серия-
УпаковкаTape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
FET Feature-
Статус деталиActive
ПроизводительDiodes Incorporated
Configuration2 N-Channel (Dual)
Тип монтажаSurface Mount
КвалификацияAEC-Q101
Упаковка / Дело8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Базовый номер продуктаDMTH6016
Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs19.5mOhm @ 10A, 10V
Упаковка устройства поставщика8-SOIC
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs17nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds864pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C7.6A (Ta)
Корпус
-
MSL
-

Related Products