GANFET N-CH 40V 10A DIE OUTLINERoHS / Соответствие

Изображения только для справки

EPC2014

GANFET N-CH 40V 10A DIE OUTLINE

Серия
eGaN®
FET Type
N-Channel
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Vgs (Max)
+6V, -5V
Технический паспорт (PDF)
Соответствие RoHS

Почему мы

Гарантия качества
Гарантия качества
Защита от ЭСР
Антистатическая защита
Доставка по миру
Быстрая доставка
Быстрый ответ
Быстрый запрос

Профессиональная упаковка

Оригинальная упаковка

Заводская упаковка, антистатический лоток

Защита от влаги

Индикатор влажности и силикагель в комплекте

Вакуумная упаковка

Влагозащитный пакет, заполнен азотом

Надёжная упаковка

Антивибрационная пена, ударопрочная маркировка

ПараметрЗначение
КатегорияSingle FETs, MOSFETs
ПроизводительEPC
Оценка-
СерияeGaN®
FET TypeN-Channel
УпаковкаTape & Reel (TR)
Vgs (Max)+6V, -5V
ТехнологияGaNFET (Gallium Nitride)
FET Feature-
Статус деталиDiscontinued at Digi-Key
Тип монтажаSurface Mount
Квалификация-
Упаковка / ДелоDie
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 2mA
Базовый номер продуктаEPC20
Рабочая температура-40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs16mOhm @ 5A, 5V
Power Dissipation (Max)-
Упаковка устройства поставщикаDie
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs2.8 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds325 pF @ 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C10A (Ta)
Корпус
-
MSL
-

Related Products