GANFET N-CH 30V 60A DIEВ наличииRoHS / Соответствие

Изображения только для справки

EPC2023

GANFET N-CH 30V 60A DIE

Серия
eGaN®
FET Type
N-Channel
Упаковка
Tape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
Технология
GaNFET (Gallium Nitride)
Технический паспорт (PDF)
Соответствие RoHS

Почему мы

Гарантия качества
Гарантия качества
Защита от ЭСР
Антистатическая защита
Доставка по миру
Быстрая доставка
Быстрый ответ
Быстрый запрос

Профессиональная упаковка

Оригинальная упаковка

Заводская упаковка, антистатический лоток

Защита от влаги

Индикатор влажности и силикагель в комплекте

Вакуумная упаковка

Влагозащитный пакет, заполнен азотом

Надёжная упаковка

Антивибрационная пена, ударопрочная маркировка

ПараметрЗначение
КатегорияSingle FETs, MOSFETs
ПроизводительEPC
Оценка-
СерияeGaN®
FET TypeN-Channel
УпаковкаTape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
ТехнологияGaNFET (Gallium Nitride)
FET Feature-
Статус деталиNot For New Designs
Тип монтажаSurface Mount
Квалификация-
Упаковка / ДелоDie
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 20mA
Базовый номер продуктаEPC20
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.3mOhm @ 40A, 5V
Упаковка устройства поставщикаDie
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2300 pF @ 15 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C60A (Ta)
Корпус
-
MSL
-

Related Products