GANFET N-CH 100V 48A DIEВ наличииRoHS / Соответствие

Изображения только для справки

EPC2032

GANFET N-CH 100V 48A DIE

Серия
eGaN®
FET Type
N-Channel
Упаковка
Tape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
Vgs (Max)
+6V, -4V
Технический паспорт (PDF)
Соответствие RoHS

Почему мы

Гарантия качества
Гарантия качества
Защита от ЭСР
Антистатическая защита
Доставка по миру
Быстрая доставка
Быстрый ответ
Быстрый запрос

Профессиональная упаковка

Оригинальная упаковка

Заводская упаковка, антистатический лоток

Защита от влаги

Индикатор влажности и силикагель в комплекте

Вакуумная упаковка

Влагозащитный пакет, заполнен азотом

Надёжная упаковка

Антивибрационная пена, ударопрочная маркировка

ПараметрЗначение
КатегорияSingle FETs, MOSFETs
ПроизводительEPC
Оценка-
СерияeGaN®
FET TypeN-Channel
УпаковкаTape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
Vgs (Max)+6V, -4V
ТехнологияGaNFET (Gallium Nitride)
FET Feature-
Статус деталиNot For New Designs
Тип монтажаSurface Mount
Квалификация-
Упаковка / ДелоDie
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 11mA
Базовый номер продуктаEPC20
Рабочая температура-40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs4mOhm @ 30A, 5V
Power Dissipation (Max)-
Упаковка устройства поставщикаDie
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs15 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1530 pF @ 50 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C48A (Ta)
Корпус
-
MSL
-

Related Products