MOSFET 2N-CH 100V 23A DIEВ наличииRoHS / Соответствие

Изображения только для справки

EPC2104

MOSFET 2N-CH 100V 23A DIE

Series
eGaN®
Packaging
Tape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
Technology
GaNFET (Gallium Nitride)
Part Status
Active
Технический паспорт (PDF)
Соответствие RoHS

Почему мы

Гарантия качества
Гарантия качества
Защита от ЭСР
Антистатическая защита
Доставка по миру
Быстрая доставка
Быстрый ответ
Быстрый запрос

Профессиональная упаковка

Оригинальная упаковка

Заводская упаковка, антистатический лоток

Защита от влаги

Индикатор влажности и силикагель в комплекте

Вакуумная упаковка

Влагозащитный пакет, заполнен азотом

Надёжная упаковка

Антивибрационная пена, ударопрочная маркировка

ПараметрЗначение
КатегорияFET, MOSFET Arrays
ПроизводительEPC
SerieseGaN®
PackagingTape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
TechnologyGaNFET (Gallium Nitride)
FET Feature-
Part StatusActive
Power - Max-
ManufacturerEPC
Configuration2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting TypeSurface Mount
Package / CaseDie
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 5.5mA
Base Product NumberEPC210
Operating Temperature-40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs6.3mOhm @ 20A, 5V
Supplier Device PackageDie
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs7nC @ 5V
Drain to Source Voltage (Vdss)100V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds800pF @ 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C23A
Корпус
-
MSL
-

Related Products