MOSFET 2N-CH 80V 9.5A/38A DIEВ наличииRoHS / Соответствие

Изображения только для справки

EPC2105

MOSFET 2N-CH 80V 9.5A/38A DIE

Серия
eGaN®
Упаковка
Tape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
Технология
GaNFET (Gallium Nitride)
Статус детали
Last Time Buy
Технический паспорт (PDF)
Соответствие RoHS

Почему мы

Гарантия качества
Гарантия качества
Защита от ЭСР
Антистатическая защита
Доставка по миру
Быстрая доставка
Быстрый ответ
Быстрый запрос

Профессиональная упаковка

Оригинальная упаковка

Заводская упаковка, антистатический лоток

Защита от влаги

Индикатор влажности и силикагель в комплекте

Вакуумная упаковка

Влагозащитный пакет, заполнен азотом

Надёжная упаковка

Антивибрационная пена, ударопрочная маркировка

ПараметрЗначение
КатегорияFET, MOSFET Arrays
ПроизводительEPC
СерияeGaN®
УпаковкаTape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
ТехнологияGaNFET (Gallium Nitride)
FET Feature-
Статус деталиLast Time Buy
Мощность - Макс-
ПроизводительEPC
Configuration2 N-Channel (Half Bridge)
Тип монтажаSurface Mount
Упаковка / ДелоDie
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 2.5mA, 2.5V @ 10mA
Базовый номер продуктаEPC210
Рабочая температура-40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs14.5mOhm @ 20A, 5V, 3.4mOhm @ 20A, 5V
Упаковка устройства поставщикаDie
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs2.5nC @ 5V, 10nC @ 5V
Drain to Source Voltage (Vdss)80V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds300pF @ 40V, 1100pF @ 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C9.5A, 38A
Корпус
-
MSL
-

Related Products