MOSFET 2N-CH 30V 16A DIEВ наличииRoHS / Соответствие

Изображения только для справки

EPC2111

MOSFET 2N-CH 30V 16A DIE

Упаковка
Tape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
Технология
GaNFET (Gallium Nitride)
Статус детали
Last Time Buy
Производитель
EPC
Технический паспорт (PDF)
Соответствие RoHS

Почему мы

Гарантия качества
Гарантия качества
Защита от ЭСР
Антистатическая защита
Доставка по миру
Быстрая доставка
Быстрый ответ
Быстрый запрос

Профессиональная упаковка

Оригинальная упаковка

Заводская упаковка, антистатический лоток

Защита от влаги

Индикатор влажности и силикагель в комплекте

Вакуумная упаковка

Влагозащитный пакет, заполнен азотом

Надёжная упаковка

Антивибрационная пена, ударопрочная маркировка

ПараметрЗначение
КатегорияFET, MOSFET Arrays
ПроизводительEPC
Оценка-
Серия-
УпаковкаTape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
ТехнологияGaNFET (Gallium Nitride)
FET Feature-
Статус деталиLast Time Buy
Мощность - Макс-
ПроизводительEPC
Configuration2 N-Channel (Half Bridge)
Тип монтажаSurface Mount
Квалификация-
Упаковка / ДелоDie
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 2mA, 2.5V @ 5mA
Базовый номер продуктаEPC211
Рабочая температура-40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs19mOhm @ 15A, 5V, 8mOhm @ 15A, 5V
Упаковка устройства поставщикаDie
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs2.2nC @ 5V, 5.8nC @ 5V
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds230pF @ 15V, 595pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C16A (Ta)
Корпус
-
MSL
-

Related Products