TRANS GAN 150V .003OHM 3X5MM QFNRoHS / Соответствие

Изображения только для справки

EPC2305ENGRT

TRANS GAN 150V .003OHM 3X5MM QFN

Серия
eGaN®
FET Type
N-Channel
Упаковка
Tape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
Vgs (Max)
+6V, -4V
Технический паспорт (PDF)
Соответствие RoHS

Почему мы

Гарантия качества
Гарантия качества
Защита от ЭСР
Антистатическая защита
Доставка по миру
Быстрая доставка
Быстрый ответ
Быстрый запрос

Профессиональная упаковка

Оригинальная упаковка

Заводская упаковка, антистатический лоток

Защита от влаги

Индикатор влажности и силикагель в комплекте

Вакуумная упаковка

Влагозащитный пакет, заполнен азотом

Надёжная упаковка

Антивибрационная пена, ударопрочная маркировка

ПараметрЗначение
КатегорияSingle FETs, MOSFETs
ПроизводительEPC
Оценка-
СерияeGaN®
FET TypeN-Channel
УпаковкаTape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
Vgs (Max)+6V, -4V
ТехнологияGaNFET (Gallium Nitride)
FET Feature-
Статус деталиDiscontinued at Digi-Key
Тип монтажаSurface Mount
Квалификация-
Упаковка / Дело7-PowerWQFN
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 11mA
Базовый номер продуктаEPC2305
Рабочая температура-40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs3mOhm @ 30A, 5V
Power Dissipation (Max)-
Упаковка устройства поставщика7-QFN (3x5)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs28.6 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss)150 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4165 pF @ 75 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C102A (Tj)
Корпус
-
MSL
-

Related Products