TRANS GAN 150V .006OHM 3X5PQFNВ наличииRoHS / Соответствие

Изображения только для справки

EPC2308ENGRT

TRANS GAN 150V .006OHM 3X5PQFN

Серия
eGaN®
FET Type
N-Channel
Упаковка
Tape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
Vgs (Max)
+6V, -4V
Технический паспорт (PDF)
Соответствие RoHS

Почему мы

Гарантия качества
Гарантия качества
Защита от ЭСР
Антистатическая защита
Доставка по миру
Быстрая доставка
Быстрый ответ
Быстрый запрос

Профессиональная упаковка

Оригинальная упаковка

Заводская упаковка, антистатический лоток

Защита от влаги

Индикатор влажности и силикагель в комплекте

Вакуумная упаковка

Влагозащитный пакет, заполнен азотом

Надёжная упаковка

Антивибрационная пена, ударопрочная маркировка

ПараметрЗначение
КатегорияSingle FETs, MOSFETs
ПроизводительEPC
Оценка-
СерияeGaN®
FET TypeN-Channel
УпаковкаTape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
Vgs (Max)+6V, -4V
ТехнологияGaNFET (Gallium Nitride)
FET Feature-
Статус деталиActive
Тип монтажаSurface Mount
Квалификация-
Упаковка / Дело7-PowerWQFN
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 5mA
Базовый номер продуктаEPC2308
Рабочая температура-40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs6mOhm @ 15A, 5V
Power Dissipation (Max)-
Упаковка устройства поставщика7-QFN (3x5)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs13.8 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss)150 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2103 pF @ 75 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C48A (Tc)
Корпус
-
MSL
-

Related Products