GANFET N-CH 65V 2A DIEВ наличииRoHS / Соответствие

Изображения только для справки

EPC8002

GANFET N-CH 65V 2A DIE

Серия
eGaN®
FET Type
N-Channel
Упаковка
Tape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
Vgs (Max)
+6V, -4V
Технический паспорт (PDF)
Соответствие RoHS

Почему мы

Гарантия качества
Гарантия качества
Защита от ЭСР
Антистатическая защита
Доставка по миру
Быстрая доставка
Быстрый ответ
Быстрый запрос

Профессиональная упаковка

Оригинальная упаковка

Заводская упаковка, антистатический лоток

Защита от влаги

Индикатор влажности и силикагель в комплекте

Вакуумная упаковка

Влагозащитный пакет, заполнен азотом

Надёжная упаковка

Антивибрационная пена, ударопрочная маркировка

ПараметрЗначение
КатегорияSingle FETs, MOSFETs
ПроизводительEPC
Оценка-
СерияeGaN®
FET TypeN-Channel
УпаковкаTape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
Vgs (Max)+6V, -4V
ТехнологияGaNFET (Gallium Nitride)
FET Feature-
Статус деталиActive
Тип монтажаSurface Mount
Квалификация-
Упаковка / ДелоDie
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Рабочая температура-40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs530mOhm @ 500mA, 5V
Power Dissipation (Max)-
Упаковка устройства поставщикаDie
Drain to Source Voltage (Vdss)65 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds21 pF @ 32.5 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2A (Ta)
Корпус
-
MSL
-

Related Products