Серия
SiC Power
Упаковка
Bulk
Технология
Silicon Carbide (SiC)
Статус детали
Active
Соответствие RoHS
Почему мы
Гарантия качества
Гарантия качества
Защита от ЭСР
Антистатическая защита
Доставка по миру
Быстрая доставка
Быстрый ответ
Быстрый запрос
Запрос предложения
Цена не отображается? Отправьте запрос, мы ответим сразу.
Мин. заказ1 шт.
Профессиональная упаковка
Оригинальная упаковка
Заводская упаковка, антистатический лоток
Защита от влаги
Индикатор влажности и силикагель в комплекте
Вакуумная упаковка
Влагозащитный пакет, заполнен азотом
Надёжная упаковка
Антивибрационная пена, ударопрочная маркировка
| Параметр | Значение |
|---|---|
| Категория | FET, MOSFET Arrays |
| Производитель | GE Aerospace |
| Серия | SiC Power |
| Упаковка | Bulk |
| Технология | Silicon Carbide (SiC) |
| FET Feature | - |
| Статус детали | Active |
| Мощность - Макс | 3.75kW |
| Производитель | GE Aerospace |
| Configuration | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Тип монтажа | Chassis Mount |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Упаковка / Дело | Module |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 480mA |
| Базовый номер продукта | GE17140 |
| Рабочая температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| Упаковка устройства поставщика | Module |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3621nC @ 18V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1700V (1.7kV) |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 82nF @ 600V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.275kA |
Корпус
-
MSL
-