Speed
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Packaging
Bulk
Technology
Schottky
Part Status
Active
Соответствие RoHS
Почему мы
Гарантия качества
Гарантия качества
Защита от ЭСР
Антистатическая защита
Доставка по миру
Быстрая доставка
Быстрый ответ
Быстрый запрос
Запрос предложения
Цена не отображается? Отправьте запрос, мы ответим сразу.
Мин. заказ1 шт.
Профессиональная упаковка
Оригинальная упаковка
Заводская упаковка, антистатический лоток
Защита от влаги
Индикатор влажности и силикагель в комплекте
Вакуумная упаковка
Влагозащитный пакет, заполнен азотом
Надёжная упаковка
Антивибрационная пена, ударопрочная маркировка
| Параметр | Значение |
|---|---|
| Категория | Diode Arrays |
| Производитель | GeneSiC Semiconductor |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Series | - |
| Packaging | Bulk |
| Technology | Schottky |
| Part Status | Active |
| Manufacturer | GeneSiC Semiconductor |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Package / Case | Twin Tower |
| Base Product Number | MBR200200 |
| Diode Configuration | 1 Pair Common Anode |
| Supplier Device Package | Twin Tower |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 3 mA @ 200 V |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 200 V |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 920 mV @ 100 A |
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 100A |
Корпус
-
MSL
-