Скорость
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Упаковка
Bulk
Технология
Schottky
Статус детали
Active
Соответствие RoHS
Почему мы
Гарантия качества
Гарантия качества
Защита от ЭСР
Антистатическая защита
Доставка по миру
Быстрая доставка
Быстрый ответ
Быстрый запрос
Запрос предложения
Цена не отображается? Отправьте запрос, мы ответим сразу.
Мин. заказ1 шт.
Профессиональная упаковка
Оригинальная упаковка
Заводская упаковка, антистатический лоток
Защита от влаги
Индикатор влажности и силикагель в комплекте
Вакуумная упаковка
Влагозащитный пакет, заполнен азотом
Надёжная упаковка
Антивибрационная пена, ударопрочная маркировка
| Параметр | Значение |
|---|---|
| Категория | Diode Arrays |
| Производитель | GeneSiC Semiconductor |
| Скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Серия | - |
| Упаковка | Bulk |
| Технология | Schottky |
| Статус детали | Active |
| Производитель | GeneSiC Semiconductor |
| Тип монтажа | Chassis Mount |
| Упаковка / Дело | Twin Tower |
| Базовый номер продукта | MBR200200 |
| Diode Configuration | 1 Pair Common Anode |
| Упаковка устройства поставщика | Twin Tower |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 3 mA @ 200 V |
| Напряжение - DC Обратное (Vr) (Макс) | 200 V |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 920 mV @ 100 A |
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 100A |
Корпус
-
MSL
-