MOSFET N-CH 30V 13A/53A 2WDSON

Изображения только для справки

BSF083N03LQ G

MOSFET N-CH 30V 13A/53A 2WDSON

Серия
OptiMOS™
FET Type
N-Channel
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Vgs (Max)
±20V
Технический паспорт (PDF)

Почему мы

Гарантия качества
Гарантия качества
Защита от ЭСР
Антистатическая защита
Доставка по миру
Быстрая доставка
Быстрый ответ
Быстрый запрос

Профессиональная упаковка

Оригинальная упаковка

Заводская упаковка, антистатический лоток

Защита от влаги

Индикатор влажности и силикагель в комплекте

Вакуумная упаковка

Влагозащитный пакет, заполнен азотом

Надёжная упаковка

Антивибрационная пена, ударопрочная маркировка

ПараметрЗначение
КатегорияSingle FETs, MOSFETs
ПроизводительInfineon Technologies
Оценка-
СерияOptiMOS™
FET TypeN-Channel
УпаковкаTape & Reel (TR)
Vgs (Max)±20V
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
FET Feature-
Статус деталиObsolete
Тип монтажаSurface Mount
Квалификация-
Упаковка / Дело3-WDSON
Vgs(th) (Max) @ Id2.2V @ 250µA
Рабочая температура-40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs8.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max)2.2W (Ta), 36W (Tc)
Упаковка устройства поставщикаMG-WDSON-2, CanPAK M™
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1800 pF @ 15 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C13A (Ta), 53A (Tc)
Корпус
-
MSL
-

Related Products