Серия
HEXFET®, StrongIRFET™
FET Type
N-Channel
Упаковка
Tube
Vgs (Max)
±20V
Соответствие RoHS
Почему мы
Гарантия качества
Гарантия качества
Защита от ЭСР
Антистатическая защита
Доставка по миру
Быстрая доставка
Быстрый ответ
Быстрый запрос
Запрос предложения
Цена не отображается? Отправьте запрос, мы ответим сразу.
Мин. заказ1 шт.
Профессиональная упаковка
Оригинальная упаковка
Заводская упаковка, антистатический лоток
Защита от влаги
Индикатор влажности и силикагель в комплекте
Вакуумная упаковка
Влагозащитный пакет, заполнен азотом
Надёжная упаковка
Антивибрационная пена, ударопрочная маркировка
| Параметр | Значение |
|---|---|
| Категория | Single FETs, MOSFETs |
| Производитель | Infineon Technologies |
| Оценка | - |
| Серия | HEXFET®, StrongIRFET™ |
| FET Type | N-Channel |
| Упаковка | Tube |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET Feature | - |
| Статус детали | Discontinued at Digi-Key |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Квалификация | - |
| Упаковка / Дело | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.7V @ 250µA |
| Рабочая температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.4mOhm @ 100A, 10V |
| Power Dissipation (Max) | 294W (Tc) |
| Упаковка устройства поставщика | D2PAK |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 279 nC @ 10 V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 10034 pF @ 25 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 195A (Tc) |
Корпус
-
MSL
-