MOSFET P-CH 20V 2.8A TO236ABВ наличииRoHS / Соответствие

Изображения только для справки

PMV65XPER

MOSFET P-CH 20V 2.8A TO236AB

FET Type
P-Channel
Упаковка
Tape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
Vgs (Max)
±12V
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Технический паспорт (PDF)
Соответствие RoHS

Почему мы

Гарантия качества
Гарантия качества
Защита от ЭСР
Антистатическая защита
Доставка по миру
Быстрая доставка
Быстрый ответ
Быстрый запрос

Профессиональная упаковка

Оригинальная упаковка

Заводская упаковка, антистатический лоток

Защита от влаги

Индикатор влажности и силикагель в комплекте

Вакуумная упаковка

Влагозащитный пакет, заполнен азотом

Надёжная упаковка

Антивибрационная пена, ударопрочная маркировка

ПараметрЗначение
КатегорияSingle FETs, MOSFETs
ПроизводительNexperia USA Inc.
Оценка-
Серия-
FET TypeP-Channel
УпаковкаTape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
Vgs (Max)±12V
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
FET Feature-
Статус деталиActive
Тип монтажаSurface Mount
Квалификация-
Упаковка / ДелоTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id1.25V @ 250µA
Базовый номер продуктаPMV65
Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs78mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max)480mW (Ta), 6.25W (Tc)
Упаковка устройства поставщикаTO-236AB
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs9 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds618 pF @ 10 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.8A (Ta)
Корпус
-
MSL
-

Related Products